Persimpangan p-n di dioda laser dibentuk oleh dua lapisan arsenide gallium doped. Ini memiliki dua ujung datar, sejajar dengan satu cermin ujung (permukaan yang sangat reflektif) dan refleksi parsial. Panjang gelombang cahaya yang akan dipancarkan berhubungan langsung dengan panjang persimpangan. Ketika persimpangan p-n diimbangi secara positif oleh sumber tegangan eksternal, elektron bergerak melalui persimpangan dan disusun kembali seperti dioda biasa. Ketika elektron dan lubang digabungkan, foton dilepaskan. Foton ini menyerang atom, menyebabkan lebih banyak foton dirilis. Ketika arus bias ke depan meningkat, lebih banyak elektron memasuki wilayah yang habis dan lebih banyak foton yang dipancarkan.
