Kristal dioda untuk semikonduktor tipe p dan pembentukan persimpangan p-n semikonduktor tipe n, di lapisan pengisian ruang terbentuk di kedua sisi antarmuka, dan sejak itu membangun medan listrik. Ketika tidak ada tegangan eksternal, hasil persimpangan p-n di kedua sisi arus difusi gradien konsentrasi pembawa dan membangun medan listrik arus hanyut dalam keseimbangan listrik adalah sama.
Ketika bagian luar ketika ada offset tegangan positif, medan listrik eksternal dan membangun efek penghambatan bersama dari medan listrik untuk meningkatkan difusi operator telah menyebabkan arus maju.
Ketika bagian luar ketika ada tegangan bias terbalik, konstruksi medan listrik oleh medan listrik eksternal dan semakin memperkuat dan membentuk rentang tegangan terbalik tertentu dari nilai tegangan bias terbalik dari arus saturasi terbalik I0.
Ketika tegangan terbalik ke tingkat tertentu, kekuatan medan listrik persimpangan p-n dalam proses perkalian pembawa lapisan pengisian ruang mencapai nilai kritis, menghasilkan sejumlah besar pasangan lubang elektron, sangat besar arus pemecahan terbalik diproduksi, yang dikenal sebagai fenomena kerusakan dioda.